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IXFT60N50P3	文件：173.57 Kbytes Page：5 Pages	Polar3 HiperFET Power MOSFET VDSS=500VID25=60ARDS(on)≤100mΩ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •FastIntrinsicRectifier •AvalancheRated •LowRDS(ON)andQG •LowPackageInductance Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXFH60N50P3	文件：372.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=38mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IXFT60N50P3
功能描述：
MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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