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IXFN360N15T2	文件：533.48 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 310A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.0mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Switching application ·DC-DC converters ·Battery chargers 文件：533.48 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFN360N15T2	文件：183.96 Kbytes Page：6 Pages	GigaMOSTrenchT2 HiperFET Power MOSFET 文件：183.96 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFN360N15T2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道沟槽栅MOSFET • 高电流性能（高达600A）\n• 较低的RDS(ON) 和栅极电荷(Qg)\n• Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching 性能\n• 雪崩功能;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFX360N15T2	文件：186.11 Kbytes Page：6 Pages	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET 文件：186.11 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

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