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IXFP180N10T2	文件：213.78 Kbytes Page：6 Pages	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET TrenchT2™ HiperFET™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier Features • International Standard Packages • Avalanche Rated • 175°C Operating Temperature • High Current Handling Capability • Fast Intrinsic Rectifier • Low RDS(on) Advantages • Easy 文件：213.78 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFP180N10T2	文件：295.59 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.59 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFP180N10T2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道沟槽栅MOSFET • 高电流性能（高达600A）\n• 较低的RDS(ON) 和栅极电荷(Qg)\n• Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching 性能\n• 雪崩功能;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFA180N10T2	文件：263.74 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor • FEATURES • With TO-263( D2PAK ) packaging • High speed switching • Low gate input resistance • Standard level gate drive • Easy to use • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • Power supply • Switching a 文件：263.74 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFA180N10T2	文件：213.78 Kbytes Page：6 Pages	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET TrenchT2™ HiperFET™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier Features • International Standard Packages • Avalanche Rated • 175°C Operating Temperature • High Current Handling Capability • Fast Intrinsic Rectifier • Low RDS(on) Advantages • Easy 文件：213.78 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.006
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
180
Gate Charge (nC)：
185
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.31
Configuration：
Single
Package Type：
TO-220
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
66
Power Dissipation (W)：
480
Sample Request：
No
Check Stock：
Yes

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