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IXFP110N15T2	文件：210.23 Kbytes Page：6 Pages	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET TrenchT2™ HiperFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International standard packages • 175°C Operating Temperature • High current handling capability • Fast intrinsic Rectifier • Dynamic dV/dt rated • Low RDS(on) Advantages • Easy to mount • Space saving 文件：210.23 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFP110N15T2	文件：294.94 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：294.94 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFP110N15T2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道沟槽栅MOSFET • 高电流性能（高达600A）\n• 较低的RDS(ON) 和栅极电荷(Qg)\n• Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching 性能\n• 雪崩功能;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFA110N15T2	文件：299.12 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFA110N15T2	文件：210.23 Kbytes Page：6 Pages	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET TrenchT2™ HiperFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International standard packages • 175°C Operating Temperature • High current handling capability • Fast intrinsic Rectifier • Dynamic dV/dt rated • Low RDS(on) Advantages • Easy to mount • Space saving 文件：210.23 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFH110N15T2	文件：383.19 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：383.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.013
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
110
Gate Charge (nC)：
150
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.31
Configuration：
Single
Package Type：
TO-220
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
85
Power Dissipation (W)：
480
Sample Request：
No
Check Stock：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IXFP110N15T2供应商更新时间2025-10-14 13:36:00

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