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IXFA110N15T2	文件：299.12 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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IXFH110N15T2	文件：171.17 Kbytes Page：6 Pages	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET TrenchT2™ HiperFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International standard package • 175°C Operating Temperature • High current handling capability • Fast intrinsic Rectifier • Dynamic dV/dt rated • Low RDS(on) Advantages • Easy to mount • Space savings 文件：171.17 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFP110N15T2	文件：294.94 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：294.94 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
IXFA110N15T2
功能描述：
MOSFET 110Amps 150V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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