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IXFH150N15P	文件：109.83 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT??HiPerFET Power MOSFET Features ●Internationalstandardpackages ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH150N15P	文件：346.68 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=150A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching ·Converters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK150N15	文件：47.98 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier App	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK150N15P	文件：109.83 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT??HiPerFETPowerMOSFET Features ●Internationalstandardpackages ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN150N15	文件：70.28 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFET SingleMOSFETDie Features ●Internationalstandardpackage ●Encapsulatingepoxymeets UL94V-0,flammabilityclassification ●miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR150N15	文件：38.51 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247 HiPerFET™PowerMOSFETsISOPLUS247™(ElectricallyIsolatedBackside) SingleMOSFETDie Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR150N15	文件：329.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=105A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=12.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFX150N15	文件：47.98 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier App	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX150N15	文件：367.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=150A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=12.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTK150N15P	文件：294.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IXFH150N15P
功能描述：
MOSFET 170 Amps 150V 0.013 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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