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IXFH30N60P	文件：330.12 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode PolarHV™HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode FastRecoveryDiode AvalancheRated Features ●FastRecoverydiode ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Internationalstandardpackages ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH30N60P	文件：337.54 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH30N60Q	文件：591.42 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowQg Features •Lowgatecharge •Internationalstandardpackages •EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Avalancheenergyandcurr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH30N60Q	文件：337.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.23Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH30N60X	文件：383.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH30N60X	文件：190.96 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP30N60X	文件：212.15 Kbytes Page：5 Pages	AdvanceTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP30N60X	文件：295.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFQ30N60X	文件：190.96 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFQ30N60X	文件：301.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IXFH30N60P
功能描述：
MOSFET 600V 30A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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