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IXFH52N30Q	文件：70.63 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Low Gate Charge and Capacitances Features • Low gate charge • International standard packages • EpoxymeetUL94V-0, flammability classification • Low RDS (on) HDMOS™ process • Rugged polysilicon gate cell structure • Avalanche 文件：70.63 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFH52N30Q	文件：372.53 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 52A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 60mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co 文件：372.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFH52N30Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET • 国际标准包装\n• 坚固的多晶硅栅极单元结构\n• 适用于非钳位感应开关（UIS）\n• 快速本征整流器;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFK52N30	文件：328.54 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 52A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.06Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：328.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFK52N30Q	文件：70.63 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Low Gate Charge and Capacitances Features • Low gate charge • International standard packages • EpoxymeetUL94V-0, flammability classification • Low RDS (on) HDMOS™ process • Rugged polysilicon gate cell structure • Avalanche 文件：70.63 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFT52N30Q	文件：70.63 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Low Gate Charge and Capacitances Features • Low gate charge • International standard packages • EpoxymeetUL94V-0, flammability classification • Low RDS (on) HDMOS™ process • Rugged polysilicon gate cell structure • Avalanche 文件：70.63 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

详细参数

型号：
IXFH52N30Q
功能描述：
MOSFET 300V 52A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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