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IXFH52N30Q中文资料PDF规格书

IXFH52N30Q
厂商型号

IXFH52N30Q

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances

文件大小

70.63 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-22 23:00:00

IXFH52N30Q规格书详情

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr

Low Gate Charge and Capacitances

Features

• Low gate charge

• International standard packages

• EpoxymeetUL94V-0, flammability classification

• Low RDS (on) HDMOS™ process

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Avalanche energy and current rated

• Fast intrinsic Rectifier

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

产品属性

  • 型号:

    IXFH52N30Q

  • 功能描述:

    MOSFET 300V 52A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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