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|---|---|---|---|---|
IXFK360N15T2 | N通道沟槽栅 Gen2 MOSFET • 高电流性能（高达600A）\n• 较低的RDS(ON) 和栅极电荷(Qg)\n• Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching 性能\n• 雪崩功能; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
IXFK360N15T2 | GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET 文件：186.11 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
N-Channel MOSFET DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 310A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.0mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Switching application ·DC-DC converters ·Battery chargers 文件：533.48 Kbytes 页数：3 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
GigaMOSTrenchT2 HiperFET Power MOSFET 文件：183.96 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET 文件：186.11 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS |
详细参数
- 型号：
IXFK360N15T2
- 功能描述：
功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
Micrel
- 产品：
MOSFET Gate Drivers
- 类型：
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
- 电源电压-最大：
30 V
- 电源电压-最小：
2.75 V
- 最大工作温度：
+ 85 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
SOIC-8
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
25+ |
2000 |
公司现货库存 |
询价 | ||||
IXYS |
1931+ |
N/A |
354 |
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询价 | ||
IXYS |
25+ |
TO-264 |
326 |
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询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
354 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO2643 TO264AA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-264 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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IXYS/艾赛斯 |
1420+ |
TO-247 |
251 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IXYS |
2022+ |
TO-264-3,TO-264AA |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
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IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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