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IXFN56N90P	文件：120.61 Kbytes Page：4 Pages	Polar Power MOSFET HiPerFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●Internationalstandardpackage ●miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation ●AvalancheRated ●Lowpackageinductance ●Fastintrinsicdiode Applications: ●Switched-modeandresonant-modepowersupplies ●DC-DC	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN56N90P	文件：594.5 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=56A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=145mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·BatteryChargers ·Highspeedpowerswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFN56N90P	文件：122.92 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN56N90P_11	文件：120.3 Kbytes Page：4 Pages	Polar HiPerFET Power MOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN56N90P_V01	文件：122.92 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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更多IXFN56N90P供应商更新时间2024-4-30 9:21:00