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IXFN56N90P

Polar Power MOSFET HiPerFET

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●Internationalstandardpackage ●miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation ●AvalancheRated ●Lowpackageinductance ●Fastintrinsicdiode Applications: ●Switched-modeandresonant-modepowersupplies ●DC-DC

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXFN56N90P

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=56A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=145mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·BatteryChargers ·Highspeedpowerswitch

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXFN56N90P

Power MOSFET

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXFN56N90P_11

Polar HiPerFET Power MOSFET

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXFN56N90P_V01

Power MOSFET

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

详细参数

  • 型号:

    IXFN56N90P

  • 功能描述:

    MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXFN
23+
NA
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原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
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IXYS
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主打产品价格优惠.全新原装正品
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更多IXFN56N90P供应商 更新时间2024-6-24 9:24:00