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IXFP130N10T2	文件：188.18 Kbytes Page：6 Pages	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET TrenchT2™ HiperFET™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrnsic Rectifier Features • International Standard Packages • 175°C Operating Temperature • High Current Handling Capability • Fast Intrinsic Rectifier • Dynamic dV/dt Rated • Low RDS(on) Advantages • Ea 文件：188.18 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
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IXFA130N10T2	文件：299.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.0101
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
130
Gate Charge (nC)：
130
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.42
Configuration：
Single
Package Type：
TO-220
Power Dissipation (W)：
360
Maximum Reverse Recovery (ns)：
100
Sample Request：
No
Check Stock：
Yes

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