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IXFN200N10P

N通道HiPerFET MOSFET

• 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

IXFN200N10P

Polar HiPerFET Power MOSFET

文件:91.89 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFR200N10

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:329.76 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXFR200N10P

PolarTM HiPerFET Power MOSFET

文件:561.32 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFR200N10P

Power MOSFET

文件:136.08 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

技术参数

  • Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

    0.0075

  • Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

    200

  • Gate Charge (nC):

    235

  • Thermal resistance [junction-case](K/W):

    0.22

  • Configuration:

    Single

  • Package Type:

    SOT-227

  • Power Dissipation (W):

    680

  • Maximum Reverse Recovery (ns):

    150

  • Sample Request:

    No

  • Check Stock:

    Yes

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
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更多IXFN200N10P供应商 更新时间2026-2-8 13:02:00