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IXFR200N10 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：329.76 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
PolarTM HiPerFET Power MOSFET 文件：561.32 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
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Polar HiPerFET Power MOSFET 文件：107.41 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
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N通道HiPerFET • 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感; | Littelfuse 力特 | Littelfuse |
详细参数
- 型号：
IXFR200N10
- 功能描述：
MOSFET 133 Amps 100V 0.0075 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
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50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO-247I |
65000 |
原装正品 华强现货 |
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IXYS |
23+ |
TO-247 |
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全新原装正品现货,支持订货 |
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