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|---|---|---|---|---|
IXFN60N80P | N-Channel MOSFET DESCRIPTION · Drain Current -ID= 53A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 140mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC converter · Battery Chargers · High Speed Power Switching Applications 文件:598.65 Kbytes 页数:3 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
IXFN60N80P | PolarHV HiPerFET Power MOSFET 文件:151.32 Kbytes 页数:4 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXFN60N80P | Power MOSFET 文件:232.68 Kbytes 页数:6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
Power MOSFET 文件:232.68 Kbytes 页数:6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
IXFN60N80P | N通道HiPerFET • 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感; | Littelfuse 力特 | Littelfuse |
详细参数
- 型号:
IXFN60N80P
- 功能描述:
MOSFET DIODE Id54 BVdass800
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFN |
23+ |
NA |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
询价 | ||
IXYS |
19+/20+ |
SOT-227B |
273 |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
SOT-227 |
26008 |
原装正品 华强现货 |
询价 | ||
德国IXYS艾塞斯 |
25+ |
MOUDLE |
12000 |
原装正品假一罚十支持实单 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
IXYS |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
303 |
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询价 | ||
IXYS |
2447 |
SOT-227B |
105000 |
10个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
询价 | ||
IXYS |
25+ |
SOT-227 |
326 |
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IXYS |
22+ |
NA |
303 |
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