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IXFN60N80P

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION · Drain Current -ID= 53A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 140mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC converter · Battery Chargers · High Speed Power Switching Applications

文件:598.65 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

IXFN60N80P

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

文件:151.32 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFN60N80P

Power MOSFET

文件:232.68 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFN60N80P_V01

Power MOSFET

文件:232.68 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFN60N80P

N通道HiPerFET

• 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

详细参数

  • 型号:

    IXFN60N80P

  • 功能描述:

    MOSFET DIODE Id54 BVdass800

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXFN
23+
NA
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
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IXYS
19+/20+
SOT-227B
273
主打产品价格优惠.全新原装正品
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IXYS/艾赛斯
23+
SOT-227
26008
原装正品 华强现货
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德国IXYS艾塞斯
25+
MOUDLE
12000
原装正品假一罚十支持实单
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IXYS
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
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IXYS
专业模块
MODULE
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模块原装主营-可开原型号增税票
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IXYS
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IXYS
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SOT-227B
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IXYS
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SOT-227
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IXYS
22+
NA
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更多IXFN60N80P供应商 更新时间2026-2-2 9:09:00