HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Features • International standard packages • miniBLOC, with Aluminium nitride isolation • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductanc

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IXYS

艾赛斯

N通道HiPerFET

• 国际标准包装 \n• 高电流处理能力\n• 低RDS(on) HDMOS过程\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 快速本征二极管;

Littelfuse

力特

HiPerFET-TM Power MOSFET

HiPerFET Power MOSFET Single MOSFET Die Features • Conforms to SOT-227B outline • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance • Fast intrinsic Rectifier Applications • DC-DC converters • Batte

文件：434.72 Kbytes 页数：2 Pages

IXYS

艾赛斯

SOT-227B

IXYS/LITTELFUSE

上传：深圳市斌腾达科技有限公司

专业模块

IXYS

艾赛斯

上传：谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司