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IXFN38N80Q2	文件：605.11 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Low intrinsic Rg , low trr Features • Double metal process for low gate resistance • International standard packages • Epoxy meet UL 94 V-0, flammability classification • Avalanche energy and current rated • Fast 文件：605.11 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFN38N80Q2	文件：141.36 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class 文件：141.36 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFN38N80Q2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET • 国际标准包装\n• 双金属工艺带来较低的栅极电阻\n• 雪崩能量和电流额定值\n• 快速本征整流器\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFR38N80Q2	文件：568.3 Kbytes Page：5 Pages	Electrically Isolated Back Surface 文件：568.3 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFX38N80Q2	文件：141.36 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class 文件：141.36 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFX38N80Q2	文件：605.11 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Low intrinsic Rg , low trr Features • Double metal process for low gate resistance • International standard packages • Epoxy meet UL 94 V-0, flammability classification • Avalanche energy and current rated • Fast 文件：605.11 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.22
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
38
Gate Charge (nC)：
190
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.17
Configuration：
Single
Package Type：
SOT-227
Power Dissipation (W)：
735
Maximum Reverse Recovery (ns)：
250
Sample Request：
No

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更多IXFN38N80Q2供应商更新时间2026-2-9 13:02:00

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