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IXFN80N50Q2	文件：118.83 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET Power MOSFET Q2-Class N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg, High dV/dt, Low trr Features • Double metal process for low gate resistance • miniBLOC, with Aluminium nitride isolation • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance • Fast intrinsic Rectifier Ap 文件：118.83 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFN80N50Q2	文件：174.05 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：174.05 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFN80N50Q2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET • 国际标准包装\n• 双金属工艺带来较低的栅极电阻\n• 雪崩能量和电流额定值\n• 快速本征整流器\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFN80N50Q2_V01	文件：174.05 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：174.05 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.065
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
72
Gate Charge (nC)：
250
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.14
Configuration：
Single
Package Type：
SOT-227
Power Dissipation (W)：
890
Maximum Reverse Recovery (ns)：
250
Sample Request：
No

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更多IXFN80N50Q2供应商更新时间2026-2-8 13:02:00

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