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IXFN80N50Q2中文资料IXYS数据手册PDF规格书

IXFN80N50Q2
厂商型号

IXFN80N50Q2

功能描述

HiPerFET Power MOSFET Q2-Class

文件大小

118.83 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 22:58:00

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IXFN80N50Q2规格书详情

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg, High dV/dt, Low trr

特性 Features

• Double metal process for low gate resistance

• miniBLOC, with Aluminium nitride isolation

• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

• Low package inductance

• Fast intrinsic Rectifier

Applications

• DC-DC converters

• Switched-mode and resonant-mode power supplies

• DC choppers

• Pulse generators

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

产品属性

  • 型号:

    IXFN80N50Q2

  • 功能描述:

    MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
专业模块
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模块原装主营-可开原型号增税票
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