Polar Power MOSFET HiPerFET

Polar™ Power MOSFET HiPerFET™ N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrisic Diode Features • Fast intrinsic diode • Avalanche Rated • Low RDS(ON) and QG • Low package inductance Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density Applications • DC-DC coverters

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IXYS

艾赛斯

N-Channel Power MOSFET

DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 140A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 34mΩ(max)@VGS= 10V ·Fast-recovery body diode APPLICATIONS ·DC-DC coverters ·AC and DC motor control ·Battery chargers ·Uninterrupted power supplies

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ISC

无锡固电

N通道HiPerFET

• 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXYS

艾赛斯

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IXYS

艾赛斯

Power MOSFET

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IXYS

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