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IXFK140N30P	文件：304.23 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent–ID=140A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=34mΩ(max)@VGS=10V ·Fast-recoverybodydiode APPLICATIONS ·DC-DCcoverters ·ACandDCmotorcontrol ·Batterychargers ·Uninterruptedpowersupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DAM140N30C	文件：277.25 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
IXFN140N30P	文件：121.06 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFR140N30P	文件：128.539 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFR140N30P	文件：143.61 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFX140N30P	文件：148.29 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET Polar™PowerMOSFETHiPerFET™ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrisicDiode Features •Fastintrinsicdiode •AvalancheRated •LowRDS(ON)andQG •Lowpackageinductance Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity Applications •DC-DCcoverters	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTK140N30P	文件：120.93 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode Polar™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Fastintrinsicdiode •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spa	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

详细参数

型号：
IXFK140N30P
功能描述：
MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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