Single MOSFET Die

VDSS = 100V ID25 = 180A RDS(on) ≤ 8mΩ Single MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features International Standard Packages High Current Handling Capability Avalanche Rated Low RDS(on) HDMOSTM Process Fast intrinsic diode

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IXYS

艾赛斯

N通道HiPerFET MOSFET

• 国际标准包装 \n• 高电流处理能力\n• 低RDS(on) HDMOS过程\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 快速本征二极管;

Littelfuse

力特

HiperFET Power MOSFETs

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IXYS

艾赛斯

HiPerFET Power MOSFET Single MOSFET Die

HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier Features • International Standard Package • miniBLOC, with Aluminium Nitride Isolation • Dynamic dv/dt Rating • Avalanche Rated • Fast Intrinsic Rectifier • Low RDS(on) • Low Drain-to-Tab Capacitan

文件：84.32 Kbytes 页数：4 Pages

IXYS

艾赛斯

Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 180A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converters · Synchronous Rectification · Low Voltage relays · Battery Chargers

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ISC

无锡固电