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IXFH86N30T

Trench HiperFET Power MOSFET

文件:182.46 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFH86N30T

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:273.24 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXFH86N30T

N通道沟槽栅MOSFET

• 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器;

Littelfuse

力特

IXFT86N30T

Trench HiperFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

技术参数

  • Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

    0.046

  • Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

    86

  • Gate Charge (nC):

    143

  • Thermal resistance [junction-case](K/W):

    0.145

  • Configuration:

    Single

  • Package Type:

    TO-247

  • Power Dissipation (W):

    860

  • Maximum Reverse Recovery (ns):

    150

  • Sample Request:

    No

  • Check Stock:

    Yes

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更多IXFH86N30T供应商 更新时间2025-10-9 13:36:00