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IXFT52N30Q中文资料PDF规格书
IXFT52N30Q规格书详情
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
Low Gate Charge and Capacitances
Features
• Low gate charge
• International standard packages
• EpoxymeetUL94V-0, flammability classification
• Low RDS (on) HDMOS™ process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Avalanche energy and current rated
• Fast intrinsic Rectifier
Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
产品属性
- 型号：
IXFT52N30Q
- 功能描述：
MOSFET 300V 52A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
NA/ |
53 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Littelfuse/IXYS |
23+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | |||
IXYS |
21+ |
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-268S |
56230 |
原装正品 华强现货 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2022 |
TO247 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
TO247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
询价 | |||
IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-268 |
2368 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO247 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
