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IXFH80N10Q	文件：55.78 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=15mΩ trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features •IXYSadvancedlowgatechargeprocess •Internationalstandardpackages •Lowgatechargeandcapacitance -ea	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH80N10Q	文件：372.7 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=15mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFT80N10	文件：93.07 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=12.5mΩ trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt Features Internationalstandardpackages LowRDS(on) RatedforunclampedInductiveloadswitching(UIS) MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilit	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT80N10Q	文件：55.78 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=15mΩ trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features •IXYSadvancedlowgatechargeprocess •Internationalstandardpackages •Lowgatechargeandcapacitance -ea	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA80N10T	文件：190.48 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFET VDSS=100V ID25=80A RDS(on)≤14mΩ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages 175°COperatingTemperature AvalancheRated HighCurrentHandlingCapability FastIntrinsicDiode LowRDS(on)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA80N10T	文件：294.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP80N10T	文件：245.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP80N10T	文件：190.48 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFET VDSS=100V ID25=80A RDS(on)≤14mΩ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages 175°COperatingTemperature AvalancheRated HighCurrentHandlingCapability FastIntrinsicDiode LowRDS(on)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
JCS80N10CF-O-C-N-B	文件：619.33 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS80N10F	文件：619.33 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS80N10FF-O-F-N-B	文件：619.33 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS80N10SF-O-S-N-A	文件：619.33 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS80N10SF-O-S-N-B	文件：619.33 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS80N10WF-O-W-N-B	文件：619.33 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
SFF80N10M	文件：47.76 Kbytes Page：2 Pages	55AMP(note1)/100Volts12mON-ChannelTrenchGateMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFF80N10Z	文件：47.76 Kbytes Page：2 Pages	55AMP(note1)/100Volts12mON-ChannelTrenchGateMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SPB80N10L	文件：108.75 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor Feature N-Channel Enhancementmode LogicLevel 175°Coperatingtemperature Avalancherated dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPI80N10L	文件：108.75 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor Feature N-Channel Enhancementmode LogicLevel 175°Coperatingtemperature Avalancherated dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP80N10L	文件：108.75 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor Feature N-Channel Enhancementmode LogicLevel 175°Coperatingtemperature Avalancherated dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
UTT80N10	文件：130.9 Kbytes Page：3 Pages	80A,100VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTCUTT80N10isanN-channelpowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithperfectRDS(ON),highswitchingspeed,highcurrentcapacityandlowgatecharge. TheUTCUTT80N10issuitableforDC-DCconverters,Off-LineUPS,HighVoltageSynchronous	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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详细参数

型号：
IXFH80N10Q
功能描述：
MOSFET 100V 80A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳和润天下电子科技有限公司	IXFH80N10Q	IXYS/艾赛斯	23+	TO-247	52388	原装正品华强现货	询价
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更多IXFH80N10Q供应商更新时间2024-9-21 8:30:00

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