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IXFH42N50P2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 42A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 145mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

文件:372.21 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXFH42N50P2

PolarP2 HiperFET Power MOSFET

文件:132.97 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFH42N50P2

N通道HiPerFET

• 较低的RDS(on)和Qg\n • 低热阻RthJC\n • 高功率耗散\n • 动态dv/dt额定值\n • 雪崩评级;

Littelfuse

力特

IXFT42N50P2

PolarP2 HiperFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXFH42N50P2

  • 功能描述:

    MOSFET PolarP2 Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
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TO-247
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原装正品 华强现货
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IXYS
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IXYS/艾赛斯
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TO-247
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更多IXFH42N50P2供应商 更新时间2026-2-7 8:31:00