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IXFH50N50P3	文件：372.14 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 125mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：372.14 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFH50N50P3	文件：157.61 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier 文件：157.61 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFH50N50P3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET • 超低通态电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg\n• 快速体二极管\n• dv/dt强度\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 国际标准包装;	Littelfuse 力特	Littelfuse
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更多IXFH50N50P3供应商更新时间2026-2-5 11:01:00