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IXFH96N15P	文件：372.88 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=96A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH96N15P	文件：324.46 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT HiPerFET Power MOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFC96N15P	文件：118.11 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTHiPerFETPowerMOSFETISOPLUS220	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFC96N15P	文件：323.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=26mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXFV96N15PS	文件：324.46 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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详细参数

型号：
IXFH96N15P
功能描述：
MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IXFH96N15P供应商更新时间2024-5-1 14:14:00

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