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IXFH96N15P	文件：372.88 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=96A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH96N15P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET MOSFET; • 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感\n;	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
IXFH96N15P	文件：324.46 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT HiPerFET Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFV96N15P	文件：324.46 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFV96N15PS	文件：324.46 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ96N15P	文件：302.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTQ96N15P	文件：583.22 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePreliminaryDataSheet	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTT96N15P	文件：583.22 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePreliminaryDataSheet	IXYS IXYS Corporation	IXYS

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.024
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
96
Gate Charge (nC)：
110
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.31
Configuration：
Single
Package Type：
TO-247
Power Dissipation (W)：
480
Maximum Reverse Recovery (ns)：
200
Sample Request：
No
Check Stock：
Yes

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