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IXFB100N50Q3

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 49mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Switch Mode Power Supply (SMPS) · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Power Factor Correction (PFC)

文件:454.67 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXFB100N50Q3

HiperFET Power MOSFET Q3-Class

文件:149.24 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFB100N50Q3

N通道HiPerFET

• 每个硅片面积的Rdson较低\n• 卓越的dV/dt性能\n• 快速本征整流器\n• 较高的雪崩能量性能\n• 卓越的热性能;

Littelfuse

力特

IXFN100N50Q3

HiperFET Power MOSFET Q3-Class

文件:131.23 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXFB100N50Q3

  • 功能描述:

    MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/100A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXFB100N50Q3供应商 更新时间2026-2-1 8:01:00