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IXFH120N15P	文件：183.34 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT HiPerFET Power MOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
FIR120N15PG	文件：2.56157 Mbytes Page：6 Pages	150VN-ChannelPowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
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IXTQ120N15P	文件：177.4 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTQ120N15P	文件：300.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTT120N15P	文件：177.4 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
RU120N15Q	文件：486.82 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
RU120N15R	文件：1.73626 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RU120N15R	文件：486.8 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
UPD120N15TA	文件：157.38 Kbytes Page：15 Pages	THREE-TERMINALLOW-DROPOUTPOSITIVE-VOLTAGEREGULATOR(OUTPUTCURRENT:0.3A) TheµPD120Nxxseriesprovideslow-voltageoutputregulatorswiththeoutputcurrentcapacitanceof0.3A.Theoutputvoltagevariesaccordingtotheproduct(1.5V,1.8V,2.5V,or3.3V).ThecircuitcurrentislowduetotheCMOSstructure,sothepowerconsumptionintheICscanbereduced.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPD120N15TA	文件：323.56 Kbytes Page：15 Pages	THREE-TERMINALLOW-DROPOUTPOSITIVE-VOLTAGEREGULATOR(OUTPUTCURRENT:0.3A) Features •Outputcurrent:0.3A •On-chipovercurrentprotectioncircuit •On-chipthermalprotectioncircuit •Smallcircuitoperationcurrent:60μATYP.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
IXFH120N15P
功能描述：
MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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