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IXFT120N15P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET • 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFT120N15P	文件：183.34 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT HiPerFET Power MOSFET 文件：183.34 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTQ120N15P	文件：177.4 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode 文件：177.4 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTQ120N15P	文件：300.74 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：300.74 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTT120N15P	文件：177.4 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode 文件：177.4 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

详细参数

型号：
IXFT120N15P
功能描述：
MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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