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IXFT12N100Q	文件：146.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class Features ●IXYSadvancedlowQgprocess ●Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -fasterswitching ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on) ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilityclassification Advantages ●	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT12N100QHV	文件：205.72 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFV12N100P	文件：181.15 Kbytes Page：4 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFETs PolarTMHiPerFET™PowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •LowRDS(on)andQG •AvalancheRated •LowPackageInductance •FastIntrinsicRectifier Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •SpaceSavings Applications •Switc	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFV12N100PS	文件：181.15 Kbytes Page：4 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFETs PolarTMHiPerFET™PowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •LowRDS(on)andQG •AvalancheRated •LowPackageInductance •FastIntrinsicRectifier Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •SpaceSavings Applications •Switc	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGA12N100	文件：51.49 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA •SecondgenerationHDMOS™process •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchopper	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGA12N100A	文件：51.49 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA •SecondgenerationHDMOS™process •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchopper	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH12N100	文件：151.39 Kbytes Page：5 Pages	LowVCE(sat)IGBTwithDiodeHighSpeedIGBTwithDiode Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •2ndgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on -drivesimplicity •Voltageratingguaranteedathightemperature(125C) Applicati	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP12N100	文件：51.49 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA •SecondgenerationHDMOS™process •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchopper	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP12N100A	文件：51.49 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA •SecondgenerationHDMOS™process •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchopper	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH12N100	文件：106.76 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOS™process ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
IXFT12N100Q
功能描述：
MOSFET 12 Amps 1000V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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