N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family

Features • International standard package • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect • Fast intrinsic Rectifier Applications • DC-DC converters • Synchronou

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IXYS

艾赛斯

N通道HiPerFET MOSFET

• 国际标准包装 \n• 高电流处理能力\n• 低RDS(on) HDMOS过程\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 快速本征二极管;

Littelfuse

力特

HiPerRF Power MOSFETs

VDSS = 1000V ID25 = 12A RDS(on) ≤ 1.05Ω trr ≤ 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg, High dV/dt, Low trr Features • RF capable MOSFETs • Double metal process for low gate resistance • Rugged polysilicon gate cell structure •

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IXYS

艾赛斯

HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class

Features ● IXYS advanced low Qg process ● Low gate charge and capacitances - easier to drive - faster switching ● International standard packages ● Low RDS (on) ● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated ● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Advantages ●

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IXYS

艾赛斯

HiPerRF Power MOSFETs

文件：112.65 Kbytes 页数：2 Pages

IXYS

艾赛斯

High Voltage Power MOSFET

文件：205.72 Kbytes 页数：5 Pages

IXYS

艾赛斯

N通道HiPerFET MOSFET

• 国际标准包装\n• 坚固的多晶硅栅极单元结构\n• 适用于非钳位感应开关（UIS）\n• 快速本征整流器;

Littelfuse

力特

N通道HiPerFET MOSFET

• 国际标准包装\n• 坚固的多晶硅栅极单元结构\n• 适用于非钳位感应开关（UIS）\n• 快速本征整流器;

Littelfuse

力特