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IXFT70N15	文件：55.77 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTM Power MOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fast	IXYS IXYS Corporation	IXYS
70N15	文件：55.77 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTMPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fast	IXYS IXYS Corporation	IXYS
FQA70N15	文件：303.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQA70N15	文件：738.58 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQAF70N15	文件：328.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.028Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQAF70N15	文件：740.67 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Features •44A,150V,RDS(on)=0.028Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical135nC) •LowCrss(typical135pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability •175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HM70N15	文件：524.34 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IXFH70N15	文件：371.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=70A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=28mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH70N15	文件：55.77 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTMPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fast	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR70N15	文件：37.72 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETsISOPLUS247™(ElectricallyIsolatedBackside) N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •Lowd	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
IXFT70N15
功能描述：
MOSFET 70 Amps 150V 0.028 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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