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IXFT12N90Q	文件：58.04 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q Class Features • IXYS advanced low Qg process • Low gate charge and capacitances - easier to drive - faster switching • International standard packages • Low RDS (on) • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Molding epoxies meet UL94V-0 flammability classification Advantages 文件：58.04 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFT12N90Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET MOSFET • 国际标准包装\n• 坚固的多晶硅栅极单元结构\n• 适用于非钳位感应开关（UIS）\n• 快速本征整流器;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFV12N90P	文件：184.73 Kbytes Page：4 Pages	Polar Power MOSFET HiPerFET Polar™ HiPerFET™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • International Standard Packages • Avalanche Rated • Low Package Inductance • Fast Intrinsic Diode Advantages • Easy to Mount • Space Savings • High Power Density Applications: • Sw 文件：184.73 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFV12N90P	文件：234.64 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：234.64 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFV12N90PS	文件：184.73 Kbytes Page：4 Pages	Polar Power MOSFET HiPerFET Polar™ HiPerFET™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • International Standard Packages • Avalanche Rated • Low Package Inductance • Fast Intrinsic Diode Advantages • Easy to Mount • Space Savings • High Power Density Applications: • Sw 文件：184.73 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.9
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
12
Gate Charge (nC)：
90
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.42
Configuration：
Single
Package Type：
TO-268S
Power Dissipation (W)：
298
Maximum Reverse Recovery (ns)：
200
Sample Request：
No

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