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IXFB70N60Q2

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 70A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 88mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converters · PFC Circuits · AC and DC Motor Drives

文件:619.56 Kbytes 页数:8 Pages

ISC

无锡固电

IXFB70N60Q2

HiPerFET Power MOSFET Q-Class

文件:91.18 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFB70N60Q2

N通道HiPerFET

• 国际标准包装\n• 双金属工艺带来较低的栅极电阻\n• 雪崩能量和电流额定值\n• 快速本征整流器\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

IXFL70N60Q2

HiPerFET Power MOSFET Q2-Class

文件:141.88 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFN70N60Q2

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION · Drain Current -ID= 70A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 88mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC converter · Power Supplies · DC Choppers

文件:892.43 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

IXFN70N60Q2

HiPerFET Power MOSFET Q2-Class

文件:116.71 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

技术参数

  • Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

    0.088

  • Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

    70

  • Gate Charge (nC):

    265

  • Thermal resistance [junction-case](K/W):

    0.14

  • Configuration:

    Single

  • Package Type:

    TO-264 PLUS

  • Power Dissipation (W):

    890

  • Maximum Reverse Recovery (ns):

    250

  • Sample Request:

    No

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
23+
TO-264 PLUS
56230
原装正品 华强现货
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IXYS
25+
管3PL无洞
18000
原厂直接发货进口原装
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IXYS
23+
TO-3PL
5000
原装正品,假一罚十
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PLUS264
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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IXYS
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TO-264
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22+
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IXYS/艾赛斯
25+
TO-264
10000
原装现货假一罚十
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IXYS
22+
TO2643 TO264AA
9000
原厂渠道,现货配单
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IXYS
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TO-3PL
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更多IXFB70N60Q2供应商 更新时间2026-1-26 8:34:00