选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
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IXYS/LITTELFUSETO-247 |
810 |
23+ |
只做原装提供一站式配套供货中利达 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
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IXYS/艾赛斯TO247 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
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IXYSTO2473 |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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IXYSTO-3P |
9980 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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IXYS/艾赛斯NA/ |
2653 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IXYSTO247 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
2368 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
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IXYSTO-247 |
6200 |
17+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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TO247 |
68900 |
IXYS |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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IXYSTO247 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IXYSTO2473 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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IXYSTO-247AD |
137 |
07+/08+ |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
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IXYSTO-247 |
564 |
23+ |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
564 |
23+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IXYSTO-247 |
2050 |
18+ |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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IXYSTO-247 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
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IXYS/艾赛斯TO247 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
7 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
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infineonTO-247 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
IXFH12N100采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXFH12N100图片
IXFH12N100P价格
IXFH12N100P价格:¥22.2776品牌:Ixys
生产厂家品牌为Ixys的IXFH12N100P多少钱,想知道IXFH12N100P价格是多少?参考价:¥22.2776。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IXFH12N100P批发价格及采购报价,IXFH12N100P销售排行榜及行情走势,IXFH12N100P报价。
IXFH12N100中文资料Alldatasheet PDF
更多IXFH12N100功能描述:MOSFET 1KV 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH12N100F功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH12N100F_03制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerRF Power MOSFETs
IXFH12N100P功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH12N100Q功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube