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IXFB170N30P	文件：135.27 Kbytes Page：5 Pages	Polar Power MOSFET HiPerFET 文件：135.27 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFB170N30P	文件：139.7 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：139.7 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFB170N30P_V01	文件：139.7 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：139.7 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFB170N30P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET • 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse

详细参数

型号：
IXFB170N30P
功能描述：
MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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