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IXFB38N100Q2	文件：126.18 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET TM Power MOSFETs 文件：126.18 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFB38N100Q2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET • 国际标准包装\n• 双金属工艺带来较低的栅极电阻\n• 雪崩能量和电流额定值\n• 快速本征整流器\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFB38N100Q2_08	文件：132.73 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET Power MOSFET Q2-Class 文件：132.73 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFK38N100Q2	文件：287.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 38A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 250mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·DC-DC converter ·Switched-mode and resonant-mode power supplies ·DC choppers ·Pulse generators 文件：287.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFL38N100Q2	文件：140.84 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET Power MOSFET Q2-Class 文件：140.84 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFN38N100Q2	文件：566.23 Kbytes Page：3 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 38A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 250mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·DC-DC converter ·Switched-mode and resonant-mode power supplies ·DC choppers ·Pulse generators 文件：566.23 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.25
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
38
Gate Charge (nC)：
250
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.14
Configuration：
Single
Package Type：
TO-264 PLUS
Power Dissipation (W)：
890
Maximum Reverse Recovery (ns)：
300
Sample Request：
No
Check Stock：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳和润天下电子科技有限公司	IXFB38N100Q2	IXYS/艾赛斯	23+	TO-264 PLUS	40000	原装正品华强现货	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IXFB38N100Q2	IXYS	23+	TO-3PL	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXFB38N100Q2	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	IXFB38N100Q2	IXYS	22+	TO2643 TO264AA	9000	原厂渠道,现货配单	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	IXFB40N110P	IXYS	23+	TO-3PL/264	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多IXFB38N100Q2供应商更新时间2026-1-29 8:31:00

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