N通道HiPerFET

• 每个硅片面积的Rdson较低\n• 较低的Qg和Qgd\n• 卓越的dV/dt性能\n• 高速开关\n• 快速本征整流器\n• 较低的本征栅极电阻\n• 较高的雪崩能量性能\n• 卓越的热性能;

Littelfuse

力特

HiperFET Power MOSFET Q3-Class

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IXYS

艾赛斯

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 38A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 1000V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 220mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converters · Battery Chargers · DC Choppers · High Speed Power Switching Application

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ISC

无锡固电

HiperFET Power MOSFET Q3-Class

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IXYS

艾赛斯