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IXFH110N15T2

TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

TrenchT2™ HiperFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International standard package • 175°C Operating Temperature • High current handling capability • Fast intrinsic Rectifier • Dynamic dV/dt rated • Low RDS(on) Advantages • Easy to mount • Space savings

文件:171.17 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFH110N15T2

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:383.19 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXFH110N15T2

N通道沟槽栅 Gen2 MOSFET

• 高电流性能(高达600A)\n• 较低的RDS(ON) 和栅极电荷(Qg)\n• Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching 性能\n• 雪崩功能;

Littelfuse

力特

IXFP110N15T2

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:294.94 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXFP110N15T2

TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

TrenchT2™ HiperFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International standard packages • 175°C Operating Temperature • High current handling capability • Fast intrinsic Rectifier • Dynamic dV/dt rated • Low RDS(on) Advantages • Easy to mount • Space saving

文件:210.23 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXFH110N15T2

  • 功能描述:

    MOSFET 110 Amps 150V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
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原厂原装正品
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更多IXFH110N15T2供应商 更新时间2026-2-4 10:20:00