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IXFH16N90Q	文件：72.5 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Features • IXYS advanced low Qg process • International standard packages • EpoxymeetUL94V-0, flammability classification • Low RDS(on) low Qg • Avalanche energy and current rated • Fast intrinsic rectifier Advantages • Easy 文件：72.5 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFH16N90Q	文件：338.35 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.65Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：338.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFH16N90Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET • 国际标准包装\n• 坚固的多晶硅栅极单元结构\n• 适用于非钳位感应开关（UIS）\n• 快速本征整流器;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFK16N90Q	文件：329.61 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.65Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：329.61 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFK16N90Q	文件：72.5 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Features • IXYS advanced low Qg process • International standard packages • EpoxymeetUL94V-0, flammability classification • Low RDS(on) low Qg • Avalanche energy and current rated • Fast intrinsic rectifier Advantages • Easy 文件：72.5 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFT16N90Q	文件：72.5 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Features • IXYS advanced low Qg process • International standard packages • EpoxymeetUL94V-0, flammability classification • Low RDS(on) low Qg • Avalanche energy and current rated • Fast intrinsic rectifier Advantages • Easy 文件：72.5 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.65
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
16
Gate Charge (nC)：
133
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.35
Configuration：
Single
Package Type：
TO-247
Power Dissipation (W)：
357
Maximum Reverse Recovery (ns)：
250
Sample Request：
No

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