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IXFH23N80Q	文件：338.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.42Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：338.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFH23N80Q	文件：585.34 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class 文件：585.34 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFH23N80Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET • 国际标准包装\n• 坚固的多晶硅栅极单元结构\n• 适用于非钳位感应开关（UIS）\n• 快速本征整流器;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFT23N80Q	文件：585.34 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class 文件：585.34 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.42
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
23
Gate Charge (nC)：
120
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.25
Configuration：
Single
Package Type：
TO-247
Power Dissipation (W)：
500
Maximum Reverse Recovery (ns)：
250
Sample Request：
No

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