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IXFH110N25T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道沟槽栅MOSFET • 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFH110N25T	文件：145.83 Kbytes Page：5 Pages	TrenchHV Power MOSFET HiPerFET 文件：145.83 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFV110N25T	文件：191 Kbytes Page：5 Pages	Trench Gate Power HiperFET 文件：191 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFV110N25TS	文件：191 Kbytes Page：5 Pages	Trench Gate Power HiperFET 文件：191 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTH110N25	文件：367.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =24mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv 文件：367.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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