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IXFN38N100P

Polar Power MOSFET HiPerFET

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • International Standard Package • Encapsulating Epoxy meets UL 94 V-0, Flammability Classification • miniBLOC with Aluminium Nitride Isolation • Fast Recovery Diode • Avalanche Rated • Low package inductance Advantag

文件:124.68 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFN38N100P

Power MOSFET

文件:149.68 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFN38N100P_V01

Power MOSFET

文件:149.68 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFN38N100P

N通道HiPerFET

• 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

详细参数

  • 型号:

    IXFN38N100P

  • 功能描述:

    MOSFET 38 Amps 1000V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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IXYS
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更多IXFN38N100P供应商 更新时间2026-1-31 15:51:00