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IXFP102N15T

Trench Gate Power MOSFET HiperFET

Trench Gate Power MOSFET HiperFET™ N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International Standard Packages • Avalanche Rated Advantages • Easy to Mount • Space Savings • High Power Density Applications • DC-DC Converters • Battery Chargers • Switched-Mode and Resonant-Mod

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• 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器;

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IXTA102N15T

Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International standard packages • Avalanche rated Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density Applications • DC-DC converters • Battery chargers • Switched-mode and resonant-mode power

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艾赛斯

IXTH102N15T

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:383.15 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    IXFP102N15T

  • 功能描述:

    MOSFET 102 Amps 0V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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