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IXTA102N15T	文件：239.52 Kbytes Page：7 Pages	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International standard packages • Avalanche rated Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density Applications • DC-DC converters • Battery chargers • Switched-mode and resonant-mode power 文件：239.52 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA102N15T	文件：299.08 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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IXTP102N15T	文件：239.52 Kbytes Page：7 Pages	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International standard packages • Avalanche rated Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density Applications • DC-DC converters • Battery chargers • Switched-mode and resonant-mode power 文件：239.52 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

详细参数

型号：
IXTA102N15T
功能描述：
MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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