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IRG4PC30UD	文件：211 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A) UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ult	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30UD	文件：302.2 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage ·Anti-ParallelUltraFastDiode ·AvalancheCapability ·InternationalStandardPackage APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries ·WeldingMachines	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRG4PC30UDPBF	文件：390.82 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30UDPBF	文件：381.67 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30UPBF	文件：274.59 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30UPBF	文件：273.62 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORUltraFastSpeedIGBT UltraFastSpeedIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Genera	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30W	文件：123.28 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.70V,@Vge=15V,Ic=12A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesignandc	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30WPBF	文件：255.35 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30WPBF	文件：254.39 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesignandc	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4PC30S
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.6V @ 15V，18A
开关能量：
260µJ（开），3.45mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/540ns
测试条件：
480V，18A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 600V 34A 100W TO247AC

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