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IRFBF20S	文件：312.93 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount(IRFBF20S,SiHFBF20S) •Low-profilethrough-hole(IRFBF20L,SiHFBF20L) •Availableintapeandreel(IRFBF20S,SiHFBF20S) •DynamicdV/dtrating •150°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofco	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBF20S_V01	文件：312.93 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount(IRFBF20S,SiHFBF20S) •Low-profilethrough-hole(IRFBF20L,SiHFBF20L) •Availableintapeandreel(IRFBF20S,SiHFBF20S) •DynamicdV/dtrating •150°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofco	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBF20SPBF	文件：940.9 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapabeloftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovides	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBF20STRL	文件：940.9 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapabeloftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovides	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBF20STRLPBF	文件：940.9 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapabeloftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovides	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBF20STRR	文件：940.9 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapabeloftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovides	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBF20STRRPBF	文件：940.9 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapabeloftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovides	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBF20_V01	文件：264.07 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBF20LPBF	文件：373.95 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFBF20LPBF	文件：312.93 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFBF20
功能描述：
MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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