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IRF640S	文件：286.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF640SPBF	文件：2.11507 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationsoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF640SPBF	文件：237.05 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF640STRL	文件：2.11507 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationsoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRF640STRLPBFA	文件：237.05 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRF640STRRPBFA	文件：237.05 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF640T	文件：247.31 Kbytes Page：12 Pages	N-channel200V-0.15廓-15A-TO-220MESHOVERLAY??PowerMOSFET Description ThisPowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY™process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources Generalfeatures ■Extremelyhighdv/dtcapability ■Gatechargeminimize	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
IRF640NSTRR
制造商：
International Rectifier
制造商：
International Rectifier
功能描述：
18 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF640NSTRR供应商更新时间2025-5-4 16:30:00

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