IRF640S中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
IRF640S规格书详情
FEATURES
·Drain Current -ID=18A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 0.18mΩ(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·Motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
产品属性
- 型号：
IRF640S
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
06+ |
TO-263 |
15 |
询价 | |||
IR |
NEW |
TO-263 |
35890 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOT263 |
65480 |
询价 | |||
IR |
22+ |
TO263 |
30000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
IR |
25+ |
10 |
公司原装现货常备库存! |
询价 | |||
IR |
25+ |
15 |
公司优势库存 热卖中!! |
询价 | |||
SILICONIXVISHAY |
21+ |
NA |
5000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
10000 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
VISHAY |
2018+ |
TO-263 |
26976 |
代理原装现货/特价热卖! |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO-263 |
2987 |
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询价 |
